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类 别 项 目 名 称 注 释 单 位
取晶 取晶 去除封装, 将die完整取出.

层次去除

去层—passivation钝化层 SIO2、SI3N4
去层—Metal金属层 Al
去层—oxide氧化层 SIO2、SI3N4
去层—poly 去除器件层以利染色或观察衬底
去 polyimide 去除聚酰亚胺

染色

阱染色/电阻染色 通过染色区分P-MOS、N-MOS或掺杂电阻
( 因其透明而无法在光学显微镜下直接观察 )
码点染色 通过染色区分ROM区中
以离子注入方式来代表的"0"和"1"

拍照

高解析度显微拍照 * 解析度0.25um, 无缝拼接, 1.2m宽幅照片输出
* 精确放大倍率, 图附微米标尺, 方便测量线宽
平方米
照片加印 冲洗多份照片 平方米
评估 概貌图及拍照评估
给出工艺参数评估报告:
die size, 线宽, 建议拍照倍率, 概貌图
 
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